半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710142369.6

申请日：

2007-08-22

公开(公告)号：

CN101132004B

公开(公告)日：

2008-02-27

发明(设计)人：

佐甲隆户田麻美

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2300 H01L218242 H01L2171

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

关兆辉;陆锦华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-27	公开	公开
2015-10-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101629246431 IPC(主分类):H01L 27/108 专利号:ZL2007101423696 申请日:20070822 授权公告日:20101124 终止日期:20140822
2010-11-24	授权	授权
2008-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-29	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101057986873 IPC(主分类):H01L 27/108 专利申请号:2007101423696 变更事项:申请人变更前权利人:恩益禧电子股份有限公司变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20101123

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

大芦敏行 ;

新川田裕树 .

中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

森井胜巳 ;

大津良孝 ;

大西一真 ;

新田哲也 ;

城本龙也 ;

德光成太 .

中国专利 :CN102157431A ,2011-08-17

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭沼俊彦 .

中国专利 :CN1472820A ,2004-02-04

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

川村武志 .

中国专利 :CN102939649B ,2013-02-20

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101203953A ,2008-06-18

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

鸭岛隆夫 ;

堀田孝次郎 ;

松尾修志 .

中国专利 :CN107871725A ,2018-04-03

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑恩洙 .

中国专利 :CN101471285B ,2009-07-01

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈田纪雄 .

中国专利 :CN1237787A ,1999-12-08

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