半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710349520.7

申请日：

2017-05-17

公开(公告)号：

CN107871725A

公开(公告)日：

2018-04-03

发明(设计)人：

鸭岛隆夫堀田孝次郎松尾修志

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-03	公开	公开
2020-04-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 23/522 申请公布日:20180403

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐甲隆 ;

户田麻美 .

中国专利 :CN101132004B ,2008-02-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

森井胜巳 ;

大津良孝 ;

大西一真 ;

新田哲也 ;

城本龙也 ;

德光成太 .

中国专利 :CN102157431A ,2011-08-17

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭沼俊彦 .

中国专利 :CN1472820A ,2004-02-04

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

川村武志 .

中国专利 :CN102939649B ,2013-02-20

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101203953A ,2008-06-18

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑恩洙 .

中国专利 :CN101471285B ,2009-07-01

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈田纪雄 .

中国专利 :CN1237787A ,1999-12-08

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

黑田亮太 ;

松浦仁 .

中国专利 :CN114520226A ,2022-05-20

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