半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN99109248.1
申请日
1999-06-01
公开(公告)号
CN1237787A
公开(公告)日
1999-12-08
发明(设计)人
冈田纪雄
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L21283 H01L21314 H01L213205 H01L2352
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
叶恺东
法律状态
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
满生彰 .
中国专利 :CN114388473A ,2022-04-22
[2]
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佐甲隆 ;
户田麻美 .
中国专利 :CN101132004B ,2008-02-27
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
森井胜巳 ;
大津良孝 ;
大西一真 ;
新田哲也 ;
城本龙也 ;
德光成太 .
中国专利 :CN102157431A ,2011-08-17
[4]
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山下朋弘 .
中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15
[5]
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饭沼俊彦 .
中国专利 :CN1472820A ,2004-02-04
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
川村武志 .
中国专利 :CN102939649B ,2013-02-20
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
王文生 .
中国专利 :CN101203953A ,2008-06-18
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
鸭岛隆夫 ;
堀田孝次郎 ;
松尾修志 .
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[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
郑恩洙 .
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[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
大芦敏行 ;
新川田裕树 .
中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10