半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98104033.0

申请日：

1998-01-27

公开(公告)号：

CN1292483C

公开(公告)日：

1998-11-25

发明(设计)人：

新川田裕树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯;叶恺东

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-06-24	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2011-04-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101062754379 IPC(主分类):H01L 27/108 专利号:ZL981040330 申请日:19980127 授权公告日:20061227 终止日期:20100301
1998-11-25	公开	公开
2006-12-27	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

大芦敏行 ;

新川田裕树 .

中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐次田直也 .

中国专利 :CN101313401B ,2008-11-26

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

菅谷慎二 ;

桥本浩一 ;

鹰尾义弘 .

中国专利 :CN1734769A ,2006-02-15

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪锡俊 ;

权烔辉 ;

朴昭贤 ;

李洋熙 .

韩国专利 :CN120152278A ,2025-06-13

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1881596A ,2006-12-20

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1263159C ,2000-12-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

手贺直树 ;

三木浩史 ;

岛本泰洋 ;

久本大 ;

石丸哲也 .

中国专利 :CN101132006A ,2008-02-27

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 .

中国专利 :CN101199053B ,2008-06-11

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

野口纯司 ;

大岛隆文 ;

三浦典子 ;

石川宪辅 ;

岩崎富生 ;

胜山清美 ;

斋藤达之 ;

田丸刚 ;

山口日出 .

中国专利 :CN1536660A ,2004-10-13

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