半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710128214.7

申请日：

2007-07-05

公开(公告)号：

CN101132006A

公开(公告)日：

2008-02-27

发明(设计)人：

手贺直树三木浩史岛本泰洋久本大石丸哲也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

季向冈

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101047385440 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2007101282147 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20101021
2017-12-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/115 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2019-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20070705 授权公告日:20101103 终止日期:20180705
2008-02-27	公开	公开
2010-11-03	授权	授权
2008-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

迫田恒久 ;

山口正臣 ;

南方浩志 ;

杉田义博 ;

池田和人 .

中国专利 :CN1841772A ,2006-10-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭田健 .

中国专利 :CN101359689A ,2009-02-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

大芦敏行 ;

新川田裕树 .

中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN1292483C ,1998-11-25

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

石井泰之 ;

桥本孝司 ;

川岛祥之 ;

鸟羽功一 ;

町田悟 ;

片山弘造 ;

齐藤健太郎 ;

松井俊一 .

中国专利 :CN101071815A ,2007-11-14

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈本康宏 .

中国专利 :CN105742360A ,2016-07-06

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

辻川真平 ;

峰利之 ;

由上二郎 ;

橫山夏樹 ;

山内豪 .

中国专利 :CN100375269C ,2004-01-14

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

八木下淳史 ;

松尾浩司 .

中国专利 :CN1246909C ,2002-01-30

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

井上隆 ;

竹胁利至 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

饭塚敏洋 ;

小山晋 ;

加藤芳健 .

中国专利 :CN106233437A ,2016-12-14

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