半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710102223.9

申请日：

2007-04-27

公开(公告)号：

CN101071815A

公开(公告)日：

2007-11-14

发明(设计)人：

石井泰之桥本孝司川岛祥之鸟羽功一町田悟片山弘造齐藤健太郎松井俊一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L29423 H01L218247 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-14	公开	公开
2010-02-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

阿部伦久 ;

筒井元 ;

深濑匡 ;

中原宁 ;

今井清隆 .

中国专利 :CN101165900A ,2008-04-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

迫田恒久 ;

山口正臣 ;

南方浩志 ;

杉田义博 ;

池田和人 .

中国专利 :CN1841772A ,2006-10-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

手贺直树 ;

三木浩史 ;

岛本泰洋 ;

久本大 ;

石丸哲也 .

中国专利 :CN101132006A ,2008-02-27

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

壶井笃司 .

中国专利 :CN108933177A ,2018-12-04

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

饭塚敏洋 ;

小山晋 ;

加藤芳健 .

中国专利 :CN106233437A ,2016-12-14

[6]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

堀井拓 ;

木村真二 ;

木本美津男 .

中国专利 :CN104170093B ,2014-11-26

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

石桥雅义 ;

加藤美登里 .

中国专利 :CN101465355A ,2009-06-24

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

北畠真 ;

横川俊哉 ;

楠本修 ;

内田正雄 ;

高桥邦方 ;

山下贤哉 .

中国专利 :CN1395746A ,2003-02-05

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

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