半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410029741.9

申请日：

2004-03-24

公开(公告)号：

CN1536660A

公开(公告)日：

2004-10-13

发明(设计)人：

野口纯司大岛隆文三浦典子石川宪辅岩崎富生胜山清美斋藤达之田丸刚山口日出

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2352

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

季向冈

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-10-13	公开	公开
2010-11-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101037585174 IPC(主分类):H01L 23/52 专利号:ZL2004100297419 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20100920
2006-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-19	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/52 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2008-03-05	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

金壮镐 ;

金想起 ;

金澈明 ;

成耆旭 .

韩国专利 :CN120834105A ,2025-10-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

铃村直仁 ;

冈好浩 .

中国专利 :CN103515221B ,2014-01-15

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

古桥隆寿 .

中国专利 :CN106057729A ,2016-10-26

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1881596A ,2006-12-20

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

大芦敏行 ;

新川田裕树 .

中国专利 :CN1210369A ,1999-03-10

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN1292483C ,1998-11-25

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

有金刚 ;

冈田大介 ;

久本大 .

中国专利 :CN104681598A ,2015-06-03

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

藤泽雅彦 ;

大崎明彦 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN102379036A ,2012-03-14

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

坂间光范 ;

浅见勇臣 ;

石丸典子 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1263159C ,2000-12-13

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

迫田恒久 ;

山口正臣 ;

南方浩志 ;

杉田义博 ;

池田和人 .

中国专利 :CN1841772A ,2006-10-04

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