半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410688132.8

申请日：

2014-11-25

公开(公告)号：

CN104681598A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

有金刚冈田大介久本大

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L27115 H01L218247 H01L2128

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-10	授权	授权
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691561751 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2014106881328 申请日:20141125
2015-11-11	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723329808 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2014106881328 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2015-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

绪方完 .

中国专利 :CN106024889A ,2016-10-12

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

志波和佳 .

中国专利 :CN1943037A ,2007-04-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

金冈龙范 ;

川原孝昭 .

中国专利 :CN103311286A ,2013-09-18

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

鸣海俊一 .

中国专利 :CN108336089A ,2018-07-27

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

邓立峯 .

中国专利 :CN108122919A ,2018-06-05

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

白竹茂 .

中国专利 :CN100454519C ,2007-04-18

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

迫田恒久 ;

山口正臣 ;

南方浩志 ;

杉田义博 ;

池田和人 .

中国专利 :CN1841772A ,2006-10-04

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉富敦司 ;

川岛祥之 .

中国专利 :CN107819040A ,2018-03-20

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

邓立峯 .

中国专利 :CN108122918A ,2018-06-05

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

三原龙善 .

中国专利 :CN105655339A ,2016-06-08

← 1 2 3 4 5 →