半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710700452.4

申请日：

2017-08-16

公开(公告)号：

CN108122918A

公开(公告)日：

2018-06-05

发明(设计)人：

吴伟成邓立峯

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2711517

IPC分类号：

H01L2711521 H01L2711526

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11517 申请日:20170816
2018-06-05	公开	公开
2020-09-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

邓立峯 .

中国专利 :CN108122919A ,2018-06-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

邓立峯 .

中国专利 :CN108172580A ,2018-06-15

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

有金刚 ;

冈田大介 ;

久本大 .

中国专利 :CN104681598A ,2015-06-03

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

志波和佳 .

中国专利 :CN1943037A ,2007-04-04

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

绪方完 .

中国专利 :CN106024889A ,2016-10-12

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

鸟羽功一 ;

石井泰之 ;

川岛祥之 ;

町田悟 ;

中川宗克 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN101051652B ,2007-10-10

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

金冈龙范 ;

川原孝昭 .

中国专利 :CN103311286A ,2013-09-18

[8]

制造半导体器件的方法 [P].

鳥羽功一 ;

茶木原启 ;

川嶋祥之 ;

齐藤健太郎 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN104022083A ,2014-09-03

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

鸣海俊一 .

中国专利 :CN108336089A ,2018-07-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑胤谟 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

朴钟力 .

中国专利 :CN103199111B ,2013-07-10

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