半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711213904.2

申请日：

2017-11-28

公开(公告)号：

CN108172580A

公开(公告)日：

2018-06-15

发明(设计)人：

吴伟成邓立峯

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711526 H01L2128 H01L29423

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-15	公开	公开
2018-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20171128
2021-11-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

邓立峯 .

中国专利 :CN108122919A ,2018-06-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

志波和佳 .

中国专利 :CN1943037A ,2007-04-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

邓立峯 .

中国专利 :CN108122918A ,2018-06-05

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑胤谟 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

朴钟力 .

中国专利 :CN103199111B ,2013-07-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

肖华 ;

左正笏 ;

张芸 ;

陈彦辛禹 .

中国专利 :CN118658781A ,2024-09-17

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

肖华 ;

左正笏 ;

张芸 ;

陈彦辛禹 .

中国专利 :CN118658781B ,2024-11-29

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

有金刚 ;

冈田大介 ;

久本大 .

中国专利 :CN104681598A ,2015-06-03

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

曹淳凯 ;

施宏霖 ;

刘珀玮 ;

杨舜升 ;

黄文铎 ;

才永轩 ;

杨世匡 .

中国专利 :CN107623005B ,2018-01-23

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

绪方完 .

中国专利 :CN106024889A ,2016-10-12

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

林孟汉 ;

谢智仁 ;

詹景文 .

中国专利 :CN108257967A ,2018-07-06

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