半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411148447.3

申请日：

2024-08-21

公开(公告)号：

CN118658781A

公开(公告)日：

2024-09-17

发明(设计)人：

肖华左正笏张芸陈彦辛禹

申请人：

杭州积海半导体有限公司

申请人地址：

311225 浙江省杭州市钱塘新区义蓬街道江东大道3899号709-7号

IPC主分类号：

H01L21/308

IPC分类号：

H01L21/762 H01L29/06

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	授权	授权
2024-09-17	公开	公开
2024-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/308申请日:20240821

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

肖华 ;

左正笏 ;

张芸 ;

陈彦辛禹 .

中国专利 :CN118658781B ,2024-11-29

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑胤谟 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

朴钟力 .

中国专利 :CN103199111B ,2013-07-10

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

邓立峯 .

中国专利 :CN108172580A ,2018-06-15

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

何有丰 ;

朴松源 .

中国专利 :CN101197282A ,2008-06-11

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴伟成 ;

邓立峯 .

中国专利 :CN108122919A ,2018-06-05

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101197323A ,2008-06-11

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐野泰之 ;

原明人 ;

竹井美智子 ;

佐佐木伸夫 .

中国专利 :CN1404101A ,2003-03-19

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

韩秋华 ;

王新鹏 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102938378A ,2013-02-20

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

志波和佳 .

中国专利 :CN1943037A ,2007-04-04

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

约翰·内斯·威廉马斯·阿德里安纳斯·范德韦尔登 ;

亨利卡斯·戈迪弗里达斯·拉斐尔·马斯 ;

马奎赖特·玛丽亚凯瑟琳娜·范伊尔塞施夫马赫 .

中国专利 :CN1034827A ,1989-08-16

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