半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610119057.9

申请日：

2006-12-04

公开(公告)号：

CN101197323A

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

宁先捷

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21336 H01L27092 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101238904917 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利号:ZL2006101190579 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111108
2009-11-18	授权	授权
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

何有丰 ;

朴松源 .

中国专利 :CN101197282A ,2008-06-11

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

魏莹璐 ;

何学缅 .

中国专利 :CN100590815C ,2009-01-28

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴汉明 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN100449784C ,2008-02-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

张海洋 ;

韩秋华 ;

杜珊珊 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN101197285A ,2008-06-11

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

吴金刚 ;

高关且 ;

高大为 ;

罗飞 .

中国专利 :CN101079376A ,2007-11-28

[6]

半导体器件金属连接孔的制造方法和半导体器件 [P].

马擎天 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN100517644C ,2008-06-25

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

韩秋华 ;

王新鹏 ;

黄怡 .

中国专利 :CN102938378A ,2013-02-20

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

曹启鹏 ;

付博 ;

梁海林 ;

段新一 ;

王卉 .

中国专利 :CN115527930A ,2022-12-27

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

鸟羽功一 ;

石井泰之 ;

川岛祥之 ;

町田悟 ;

中川宗克 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN101051652B ,2007-10-10

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN101393892B ,2009-03-25

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