半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610119141.0

申请日：

2006-12-05

公开(公告)号：

CN101197285A

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

张海洋韩秋华杜珊珊韩宝东

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 H01L29423 H01L2943

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101241712116 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2006101191410 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111114
2009-07-22	授权	授权
2008-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

魏莹璐 ;

何学缅 .

中国专利 :CN100590815C ,2009-01-28

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101197323A ,2008-06-11

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

张世谋 .

中国专利 :CN101197290A ,2008-06-11

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴汉明 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN100449784C ,2008-02-13

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

曹启鹏 ;

付博 ;

梁海林 ;

段新一 ;

王卉 .

中国专利 :CN115527930A ,2022-12-27

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

肖海波 .

中国专利 :CN101872726A ,2010-10-27

[7]

半导体器件制造方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN104347374A ,2015-02-11

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

吴珑虎 .

中国专利 :CN101192541A ,2008-06-04

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102074479A ,2011-05-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

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