半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710045041.6

申请日：

2017-01-22

公开(公告)号：

CN108346577B

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

张青淳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L218238 H01L2978 H01L27092

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

李浩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	公开	公开
2021-04-09	授权	授权
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170122

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891178A ,2013-01-23

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109904231B ,2019-06-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN102610611A ,2012-07-25

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102117828A ,2011-07-06

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891177A ,2013-01-23

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井永贵 ;

加藤浩朗 .

中国专利 :CN102820326B ,2012-12-12

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN103985756A ,2014-08-13

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

林佑明 ;

杨柏峰 ;

杨世海 ;

贾汉中 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114649348A ,2022-06-21

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