半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380011348.8

申请日：

2023-09-12

公开(公告)号：

CN119999351A

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

赵冬雪杨远程杨涛孙昌志刘威夏志良霍宗亮

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10D30/63

代理机构：

北京永新同创知识产权代理有限公司 11376

代理人：

刘景峰;林锦辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230912
2025-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

姜泰旭 ;

郑仓龙 ;

金昌树 ;

徐昌秀 ;

朴汶熙 .

中国专利 :CN1725511A ,2006-01-25

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN102034865A ,2011-04-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891178A ,2013-01-23

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN105845578A ,2016-08-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 ;

高木信一 ;

杉山直治 .

中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891177A ,2013-01-23

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

福井永贵 ;

加藤浩朗 .

中国专利 :CN102820326B ,2012-12-12

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄禹轩 ;

陈豪育 ;

锺政庭 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN117894681A ,2024-04-16

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

姜泰旭 .

中国专利 :CN101982884A ,2011-03-02

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