半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710087967.8

申请日：

2007-02-15

公开(公告)号：

CN100517759C

公开(公告)日：

2007-08-22

发明(设计)人：

入泽寿史沼田敏典高木信一杉山直治

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-22	公开	公开
2009-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉田浩介 .

中国专利 :CN101546771B ,2009-09-30

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

斋藤真澄 ;

内田建 .

中国专利 :CN101546770B ,2009-09-30

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

寺本聪 ;

大谷久 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1123471A ,1996-05-29

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

牧田直树 .

中国专利 :CN1453882A ,2003-11-05

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101996997B ,2011-03-30

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

浅野正义 ;

铃木嘉之 ;

伊藤哲也 ;

和田一 .

中国专利 :CN101326632A ,2008-12-17

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

尾崎史朗 ;

金村雅仁 ;

中村哲一 ;

宫岛丰生 ;

武田正行 ;

渡部庆二 ;

吉川俊英 ;

今西健治 ;

多木俊裕 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN102456730B ,2012-05-16

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101933149A ,2010-12-29

← 1 2 3 4 5 →