半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910006800.3

申请日：

2009-02-27

公开(公告)号：

CN101546770B

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

斋藤真澄内田建

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2910 H01L218234

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

屠长存

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-31	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/088 变更事项:专利权人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2020-03-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/088 登记生效日:20200312 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京
2009-09-30	公开	公开
2011-01-12	授权	授权
2020-03-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/088 登记生效日:20200312 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝存储器株式会社变更后权利人:日商潘杰亚股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-03-31	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/088 变更事项:专利权人变更前:日商潘杰亚股份有限公司变更后:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 ;

高木信一 ;

杉山直治 .

中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敬 ;

梶山健 .

中国专利 :CN1357924A ,2002-07-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

石垣隆士 ;

长部太郎 ;

小林孝 ;

今井丰 ;

清水雅裕 .

中国专利 :CN101000924A ,2007-07-18

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉田浩介 .

中国专利 :CN101546771B ,2009-09-30

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

土屋义规 ;

西山彰 .

中国专利 :CN1738050A ,2006-02-22

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

寺本聪 ;

大谷久 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1123471A ,1996-05-29

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

日野美德 ;

武石直英 ;

谷口敏光 .

中国专利 :CN1258817C ,2002-09-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN102136429A ,2011-07-27

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