半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910129844.5

申请日：

2009-03-26

公开(公告)号：

CN101546771B

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

吉田浩介

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2978 H01L2936 H01L2182 H01L21336 H01L2122

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-30	公开	公开
2015-05-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101609558622 IPC(主分类):H01L 27/088 专利号:ZL2009101298445 申请日:20090326 授权公告日:20120530 终止日期:20140326
2012-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 ;

高木信一 ;

杉山直治 .

中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

斋藤真澄 ;

内田建 .

中国专利 :CN101546770B ,2009-09-30

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

寺本聪 ;

大谷久 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1123471A ,1996-05-29

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

牧田直树 .

中国专利 :CN1453882A ,2003-11-05

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101996997B ,2011-03-30

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

尾崎史朗 ;

金村雅仁 ;

中村哲一 ;

宫岛丰生 ;

武田正行 ;

渡部庆二 ;

吉川俊英 ;

今西健治 ;

多木俊裕 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN102456730B ,2012-05-16

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101933149A ,2010-12-29

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

← 1 2 3 4 5 →