半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980103509.6

申请日：

2009-01-29

公开(公告)号：

CN101933149A

公开(公告)日：

2010-12-29

发明(设计)人：

舛冈富士雄新井绅太郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336 H01L218238 H01L2708 H01L27092 H01L2978

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

郑小军;冯志云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059317323 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2009801035096 申请日:20090129
2010-12-29	公开	公开
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101242907934 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2009801035096 变更事项:申请人变更前权利人:日本优尼山帝斯电子株式会社变更后权利人:新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:新加坡柏龄大厦登记生效日:20111115
2012-09-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN105023948A ,2015-11-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101877353A ,2010-11-03

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 ;

高木信一 ;

杉山直治 .

中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101996997B ,2011-03-30

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100521119C ,2006-12-13

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1052570C ,1994-08-03

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

奥村喜纪 ;

上野修一 ;

古田阳雄 .

中国专利 :CN1251316C ,2004-06-02

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100437907C ,2005-03-23

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敬 ;

梶山健 .

中国专利 :CN1357924A ,2002-07-10

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