半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410069654.6

申请日：

1993-12-04

公开(公告)号：

CN100437907C

公开(公告)日：

2005-03-23

发明(设计)人：

张宏勇鱼地秀贵高山彻福永健司竹村保彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

罗朋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-03-23	公开	公开
2014-02-05	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101567131797 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL2004100696546 申请日:19931204 授权公告日:20081126 期满终止日期:20131204
2008-11-26	授权	授权
2005-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100521119C ,2006-12-13

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1052570C ,1994-08-03

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1348199A ,2002-05-08

[4]

制造半导体器件的方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1091943C ,1997-06-25

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1149634C ,2001-02-28

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

牧田直树 ;

船井尚 ;

高山彻 .

中国专利 :CN1126374A ,1996-07-10

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

寺本聪 ;

大谷久 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1123471A ,1996-05-29

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴炳建 ;

徐晋旭 ;

梁泰勋 ;

李基龙 .

中国专利 :CN1725512A ,2006-01-25

[9]

薄膜半导体及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1162189A ,1997-10-15

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

宫永昭治 ;

大谷久 ;

寺本聪 .

中国专利 :CN1078387C ,1995-04-05

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