半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN94102804.6

申请日：

1994-06-10

公开(公告)号：

CN1078387C

公开(公告)日：

1995-04-05

发明(设计)人：

宫永昭治大谷久寺本聪

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29768

IPC分类号：

H01L21336 H01L4900 H01L21324

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

萧掬昌;马铁良

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101583880356 IPC(主分类):H01L 29/768 专利号:ZL941028046 申请日:19940610 授权公告日:20020123 期满终止日期:20140610
1996-09-18	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1995-04-05	公开	公开
2002-01-23	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

宫永昭治 ;

大谷久 ;

寺本聪 .

中国专利 :CN1149682C ,2002-07-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100521119C ,2006-12-13

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1052570C ,1994-08-03

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100437907C ,2005-03-23

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

鱼地秀贵 ;

高山彻 ;

福永健司 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1348199A ,2002-05-08

[6]

薄膜半导体及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫永昭治 ;

小山润 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1162189A ,1997-10-15

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

宫永昭治 ;

高山彻 ;

大谷久 ;

竹村保彦 ;

竹山顺一 .

中国专利 :CN1208807C ,1999-07-14

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

高山彻 ;

竹村保彦 ;

宫永昭治 ;

大谷久 ;

竹山顺一 .

中国专利 :CN1100562A ,1995-03-22

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

高山彻 ;

竹村保彦 ;

宫永昭治 ;

大谷久 ;

竹山顺一 .

中国专利 :CN1267907A ,2000-09-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

张宏勇 ;

高山彻 ;

竹村保彦 ;

宫永昭治 ;

大谷久 ;

竹山顺一 .

中国专利 :CN1267902A ,2000-09-27

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