半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110041839.6

申请日：

2008-02-27

公开(公告)号：

CN102136429A

公开(公告)日：

2011-07-27

发明(设计)人：

山川真弥馆下八州志

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

王安武

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-30	授权	授权
2011-07-27	公开	公开
2011-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101104511178 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011100418396 申请日:20080227

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

土屋义规 ;

西山彰 .

中国专利 :CN1738050A ,2006-02-22

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口晋平 ;

田井香织 ;

平野智之 .

中国专利 :CN1832199A ,2006-09-13

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敬 ;

梶山健 .

中国专利 :CN1357924A ,2002-07-10

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲸井裕 .

中国专利 :CN100595924C ,2007-06-13

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

石垣隆士 ;

长部太郎 ;

小林孝 ;

今井丰 ;

清水雅裕 .

中国专利 :CN101000924A ,2007-07-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16

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