半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010286825.6

申请日：

2005-10-12

公开(公告)号：

CN101982884A

公开(公告)日：

2011-03-02

发明(设计)人：

姜泰旭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2732

IPC分类号：

H01L5156 H01L2177

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204

代理人：

余朦;王艳春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-02	公开	公开
2012-11-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101464362538 IPC(主分类):H01L 27/32 专利号:ZL2010102868256 变更事项:专利权人变更前权利人:三星移动显示器株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121017
2012-10-10	授权	授权
2011-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101063296611 IPC(主分类):H01L 27/32 专利申请号:2010102868256 申请日:20051012

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

姜泰旭 .

中国专利 :CN1794452B ,2006-06-28

[2]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101253620B ,2008-08-27

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 .

中国专利 :CN1819269A ,2006-08-16

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

中村亘 .

中国专利 :CN101253621A ,2008-08-27

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN101996997B ,2011-03-30

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

日本专利 :CN118804677A ,2024-10-18

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敬 ;

梶山健 .

中国专利 :CN1357924A ,2002-07-10

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵冬雪 ;

杨远程 ;

杨涛 ;

孙昌志 ;

刘威 ;

夏志良 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN119999351A ,2025-05-13

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

小野升太郎 ;

斋藤涉 ;

薮崎宗久 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 .

中国专利 :CN102194883A ,2011-09-21

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