半导体器件制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310325729.1
申请日
2013-07-30
公开(公告)号
CN104347374A
公开(公告)日
2015-02-11
发明(设计)人
闻正锋 马万里 赵文魁
申请人
申请人地址
100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L21336
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
刘芳
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
杨旭刚 ;
田月姣 .
中国专利 :CN119108279A ,2024-12-10
[2]
半导体器件的制造方法 [P]. 
魏莹璐 ;
何学缅 .
中国专利 :CN100590815C ,2009-01-28
[3]
半导体器件的制造方法 [P]. 
吴金刚 ;
高关且 ;
高大为 ;
罗飞 .
中国专利 :CN101079376A ,2007-11-28
[4]
半导体器件的制造方法 [P]. 
肖海波 .
中国专利 :CN101872726A ,2010-10-27
[5]
半导体器件的制造方法 [P]. 
陈振兴 .
中国专利 :CN103794561A ,2014-05-14
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
张海洋 ;
韩秋华 ;
杜珊珊 ;
韩宝东 .
中国专利 :CN101197285A ,2008-06-11
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
廖淼 ;
陈芳 .
中国专利 :CN104037058B ,2014-09-10
[8]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
清水达雄 ;
山口豪 ;
西川幸江 .
中国专利 :CN1677691A ,2005-10-05
[9]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
塚本惠介 ;
三原龙善 .
中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
骆志炯 ;
尹海洲 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN102074479A ,2011-05-25