半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97117010.X

申请日：

1997-09-23

公开(公告)号：

CN1097304C

公开(公告)日：

1998-06-03

发明(设计)人：

孙正焕

申请人：

申请人地址：

韩国忠清北道

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦;王达佐

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-12-25	授权	授权
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687193483 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL97117010X 申请日:19970923 授权公告日:20021225 终止日期:20150923
1998-06-03	公开	公开
1998-03-18	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[3]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[4]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

饭塚敏洋 ;

小山晋 ;

加藤芳健 .

中国专利 :CN106233437A ,2016-12-14

[6]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN110246845B ,2024-06-21

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

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