一种HEMT射频器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110276933.3

申请日：

2021-03-15

公开(公告)号：

CN113113483A

公开(公告)日：

2021-07-13

发明(设计)人：

刘胜厚蔡文必孙希国蔡仙清张辉

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2128

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210315
2021-07-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

蔡文必 ;

孙希国 .

中国专利 :CN112736129A ,2021-04-30

[2]

一种HEMT射频器件及其制作方法 [P].

王晶晶 ;

钟杰斌 .

中国专利 :CN116314321B ,2024-08-09

[3]

HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件 [P].

王晶晶 ;

钟杰斌 .

中国专利 :CN116313797B ,2025-08-15

[4]

一种氮化镓基HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN112736127A ,2021-04-30

[5]

HEMT器件的制作方法及HEMT器件 [P].

李敏 ;

尹欢 ;

赵雨佳 ;

于志强 ;

荆学东 .

中国专利 :CN120475731A ,2025-08-12

[6]

一种射频器件及其制作方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN102810564A ,2012-12-05

[7]

一种高线性度氮化镓射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN113257890B ,2021-08-13

[8]

一种HEMT晶体管及其制作方法、射频模组 [P].

宋文杰 ;

谷鹏 ;

钟杰斌 ;

刘胜厚 .

中国专利 :CN119364799A ,2025-01-24

[9]

一种射频器件、电子设备及其制作方法 [P].

王国军 ;

赖志国 ;

杨清华 .

中国专利 :CN117639700A ,2024-03-01

[10]

一种HEMT射频器件及其制备方法和应用 [P].

李国强 ;

罗玲 ;

邢志恒 ;

吴能滔 ;

李善杰 .

中国专利 :CN114883400A ,2022-08-09

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