一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011638994.1

申请日：

2020-12-31

公开(公告)号：

CN112736129A

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

刘胜厚蔡文必孙希国

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L29423 H01L2947 H01L29778 H01L21335

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-30	公开	公开
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201231

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158948A ,2016-11-23

[2]

一种HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

蔡文必 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN113113483A ,2021-07-13

[3]

一种氮化镓基HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN112736127A ,2021-04-30

[4]

III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

孙钱 ;

钟耀宗 ;

陈昕 ;

高宏伟 ;

苏帅 ;

周宇 ;

詹晓宁 ;

刘建勋 ;

杨辉 .

中国专利 :CN115692491B ,2025-08-15

[5]

III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

孙钱 ;

钟耀宗 ;

陈昕 ;

高宏伟 ;

苏帅 ;

周宇 ;

詹晓宁 ;

刘建勋 ;

杨辉 .

中国专利 :CN115692491A ,2023-02-03

[6]

一种氮化物HEMT结构及其制作方法 [P].

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

刘云洲 ;

赵维 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN118136503A ,2024-06-04

[7]

Ⅲ族氮化物HEMT器件 [P].

蔡勇 ;

于国浩 ;

董志华 ;

王越 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102420247B ,2012-04-18

[8]

一种高线性度氮化镓射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN113257890B ,2021-08-13

[9]

一种HEMT射频器件及其制作方法 [P].

王晶晶 ;

钟杰斌 .

中国专利 :CN116314321B ,2024-08-09

[10]

HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件 [P].

王晶晶 ;

钟杰斌 .

中国专利 :CN116313797B ,2025-08-15

← 1 2 3 4 5 →