一种高线性度氮化镓射频器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110427535.7

申请日：

2021-04-21

公开(公告)号：

CN113257890B

公开(公告)日：

2021-08-13

发明(设计)人：

刘胜厚孙希国蔡仙清张辉

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21265 H01L2920 H01L29423 H01L2947 H01L21335 H01L29778

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	公开	公开
2021-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210421
2022-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氮化镓基HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN112736127A ,2021-04-30

[2]

一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

蔡文必 ;

孙希国 .

中国专利 :CN112736129A ,2021-04-30

[3]

氮化镓射频器件、参数确定方法和射频器件制作方法 [P].

卢益锋 ;

林科闯 ;

邹鹏辉 ;

许若华 ;

刘胜厚 ;

蔡仙清 ;

杨健 .

中国专利 :CN109950307A ,2019-06-28

[4]

用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件 [P].

袁卫华 ;

程文进 ;

孙勇 ;

徐松 ;

罗才旺 ;

彭立波 ;

曹华翔 ;

罗南安 .

中国专利 :CN112713082A ,2021-04-27

[5]

一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

王沛然 ;

汪青 ;

何佳琦 ;

邓宸凯 ;

樊涤非 ;

陶赓名 .

中国专利 :CN118919562B ,2025-10-03

[6]

一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

王沛然 ;

汪青 ;

何佳琦 ;

邓宸凯 ;

樊涤非 ;

陶赓名 .

中国专利 :CN118919562A ,2024-11-08

[7]

氮化镓器件制作方法及氮化镓器件 [P].

邹鹏辉 ;

林志东 ;

刘胜厚 ;

卢益锋 ;

蔡仙清 ;

许若华 ;

杨健 .

中国专利 :CN110112068B ,2019-08-09

[8]

氮化镓半导体器件及其制作方法 [P].

李东键 ;

金荣善 ;

金权济 ;

骆薇薇 ;

孙在亨 .

中国专利 :CN108428741B ,2018-08-21

[9]

一种氮化镓器件及其制作方法 [P].

郝荣晖 .

中国专利 :CN121240505A ,2025-12-30

[10]

一种氮化镓器件及其制作方法 [P].

郝荣晖 .

中国专利 :CN121218633A ,2025-12-26

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