氮化镓射频器件、参数确定方法和射频器件制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910245680.6

申请日：

2019-03-28

公开(公告)号：

CN109950307A

公开(公告)日：

2019-06-28

发明(设计)人：

卢益锋林科闯邹鹏辉许若华刘胜厚蔡仙清杨健

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L2966

IPC分类号：

代理机构：

北京超成律师事务所 11646

代理人：

刘静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	公开	公开
2019-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/66 申请日:20190328

共 50 条

[1]

用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件 [P].

袁卫华 ;

程文进 ;

孙勇 ;

徐松 ;

罗才旺 ;

彭立波 ;

曹华翔 ;

罗南安 .

中国专利 :CN112713082A ,2021-04-27

[2]

氮化镓器件制作方法及氮化镓器件 [P].

邹鹏辉 ;

林志东 ;

刘胜厚 ;

卢益锋 ;

蔡仙清 ;

许若华 ;

杨健 .

中国专利 :CN110112068B ,2019-08-09

[3]

一种氮化镓基HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN112736127A ,2021-04-30

[4]

硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法 [P].

杨学林 ;

沈波 ;

魏来 ;

马骋 ;

吴珊 ;

沈剑飞 ;

刘丹烁 ;

蔡子东 ;

黄华洋 ;

陈正昊 .

中国专利 :CN111211159A ,2020-05-29

[5]

一种高线性度氮化镓射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN113257890B ,2021-08-13

[6]

氮化镓射频功率器件及其制备方法 [P].

王鹏飞 ;

刘晓勇 ;

孙清清 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN103219376A ,2013-07-24

[7]

HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件 [P].

王晶晶 ;

钟杰斌 .

中国专利 :CN116313797B ,2025-08-15

[8]

三端口射频器件射频参数测试方法 [P].

周天舒 .

中国专利 :CN102063515A ,2011-05-18

[9]

一种氮化镓射频器件以及制备方法 [P].

司乙川 .

中国专利 :CN117542887B ,2024-04-30

[10]

一种氮化镓射频器件以及制备方法 [P].

司乙川 .

中国专利 :CN117542887A ,2024-02-09

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