一种氮化镓基HEMT射频器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011635494.2

申请日：

2020-12-31

公开(公告)号：

CN112736127A

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

刘胜厚孙希国蔡仙清张辉

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L29417 H01L29423 H01L2945 H01L2947 H01L29778 H01L21335

代理机构：

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法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-30	公开	公开
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201231

共 50 条

[1]

一种氮化镓基HEMT器件及其制作方法 [P].

江灵荣 ;

王玮竹 ;

任芳 .

中国专利 :CN119132953A ,2024-12-13

[2]

一种高线性度氮化镓射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

孙希国 ;

蔡仙清 ;

张辉 .

中国专利 :CN113257890B ,2021-08-13

[3]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

林科闯 ;

房育涛 ;

刘波亭 ;

毛张文 ;

李健 ;

张恺玄 ;

杨健 .

中国专利 :CN110600547B ,2019-12-20

[4]

一种氮化镓基HEMT器件的制备方法及氮化镓基HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

张葶葶 ;

朱廷刚 ;

朱友华 .

中国专利 :CN109037153A ,2018-12-18

[5]

一种氮化物HEMT射频器件及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

蔡文必 ;

孙希国 .

中国专利 :CN112736129A ,2021-04-30

[6]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

蔡文必 ;

孙希国 ;

刘胜厚 .

中国专利 :CN111883590A ,2020-11-03

[7]

氮化镓基功率开关器件及其制作方法 [P].

康玄武 ;

刘新宇 ;

黄森 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN106601798A ,2017-04-26

[8]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

李尚俊 .

中国专利 :CN107611174A ,2018-01-19

[9]

氮化镓基电子器件及其制作方法 [P].

郭富强 ;

黄森 ;

王鑫华 ;

魏珂 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN112259459A ,2021-01-22

[10]

氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法 [P].

郭金霞 ;

王良臣 ;

梁萌 ;

王莉 ;

黄亚军 ;

伊晓燕 ;

刘志强 .

中国专利 :CN104617202A ,2015-05-13

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