氮化镓基半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910888407.5

申请日：

2019-09-19

公开(公告)号：

CN110600547B

公开(公告)日：

2019-12-20

发明(设计)人：

林科闯房育涛刘波亭毛张文李健张恺玄杨健

申请人：

申请人地址：

361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29205 H01L2915 H01L21335

代理机构：

北京超成律师事务所 11646

代理人：

吴迪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-20	公开	公开
2020-12-18	授权	授权
2020-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190919

共 50 条

[1]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

蔡文必 ;

孙希国 ;

刘胜厚 .

中国专利 :CN111883590A ,2020-11-03

[2]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

李尚俊 .

中国专利 :CN107611174A ,2018-01-19

[3]

氮化镓半导体器件及其制作方法 [P].

李东键 ;

金荣善 ;

金权济 ;

骆薇薇 ;

孙在亨 .

中国专利 :CN108428741B ,2018-08-21

[4]

氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法 [P].

上村俊也 ;

柴田直树 ;

野杁静代 ;

伊藤润 ;

村上正纪 ;

小出康夫 .

中国专利 :CN1553478A ,2004-12-08

[5]

氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 [P].

庄家铭 ;

徐宸科 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN105633234A ,2016-06-01

[6]

氮化镓基半导体器件 [P].

小早川真人 ;

友泽秀喜 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN100470857C ,2007-04-04

[7]

p型氮化镓基半导体的制作方法、氮化物基半导体器件的制作方法及外延晶片的制作方法 [P].

上野昌纪 ;

善积祐介 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101868848A ,2010-10-20

[8]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

卓泳助 ;

金在均 ;

金峻渊 ;

李在垣 ;

崔孝枝 .

中国专利 :CN103489896B ,2014-01-01

[9]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 .

中国专利 :CN102420246A ,2012-04-18

[10]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

司空坦 ;

白好善 ;

李成男 ;

孙重坤 ;

李元硕 .

中国专利 :CN100483753C ,2005-05-18

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