氮化镓基半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580011658.1

申请日：

2005-03-03

公开(公告)号：

CN100470857C

公开(公告)日：

2007-04-04

发明(设计)人：

小早川真人友泽秀喜三木久幸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-04	公开	公开
2013-02-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101522607772 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005800116581 变更事项:专利权人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130123
2007-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基化合物半导体器件 [P].

李成男 ;

白好善 ;

孙重坤 ;

司空坦 .

中国专利 :CN1855562A ,2006-11-01

[2]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

司空坦 ;

白好善 ;

李成男 ;

孙重坤 ;

李元硕 .

中国专利 :CN100483753C ,2005-05-18

[3]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

三木久幸 ;

篠原裕直 ;

龟井宏二 .

中国专利 :CN101213678A ,2008-07-02

[4]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101238594B ,2008-08-06

[5]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

篠原裕直 ;

三木久幸 ;

村木典孝 .

中国专利 :CN100568562C ,2008-09-03

[6]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 .

中国专利 :CN102420246A ,2012-04-18

[7]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403348A ,2012-04-04

[8]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403347A ,2012-04-04

[9]

氮化镓半导体器件 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN207116436U ,2018-03-16

[10]

氮化镓基半导体外延器件 [P].

陈彦良 ;

大藤彻 ;

谢明达 .

中国专利 :CN209199874U ,2019-08-02

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