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氮化镓半导体器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201720740734.2
申请日
:
2017-06-23
公开(公告)号
:
CN207116436U
公开(公告)日
:
2018-03-16
发明(设计)人
:
刘美华
林信南
刘岩军
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市南山区前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2940
H01L29423
H01L2947
H01L21335
H01L29778
代理机构
:
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人
:
夏声平
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-03-16
授权
授权
共 50 条
[1]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
.
中国专利
:CN107316890A
,2017-11-03
[2]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
.
中国专利
:CN107316895A
,2017-11-03
[3]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
.
中国专利
:CN107275386A
,2017-10-20
[4]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
.
中国专利
:CN107316891A
,2017-11-03
[5]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
.
中国专利
:CN107275384A
,2017-10-20
[6]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
.
中国专利
:CN107331696A
,2017-11-07
[7]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
.
中国专利
:CN107331697A
,2017-11-07
[8]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
.
中国专利
:CN107248524B
,2017-10-13
[9]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
.
中国专利
:CN107437560B
,2017-12-05
[10]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘美华
;
林信南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林信南
;
刘岩军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘岩军
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中国专利
:CN107393962A
,2017-11-24
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