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氮化镓半导体器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710488979.5
申请日：
2017-06-23
公开(公告)号：
CN107275384A
公开(公告)日：
2017-10-20
发明(设计)人：
刘美华
林信南
刘岩军
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2940
H01L29423
H01L2947
H01L21335
H01L29778
代理机构：
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人：
夏声平
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-09 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20210223 变更事项:专利权人 变更前权利人:深圳市晶相技术有限公司 变更后权利人:深圳市晶相技术有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:518000 广东省深圳市南山区前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司） 变更后权利人:518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704 变更事项:专利权人 变更后权利人:苏州辰华半导体技术有限公司 |
| 2020-09-25 | 授权 | 授权 |
| 2017-11-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170623 |
| 2017-10-20 | 公开 | 公开 |