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氮化镓半导体器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710488975.7
申请日
:
2017-06-23
公开(公告)号
:
CN107331696A
公开(公告)日
:
2017-11-07
发明(设计)人
:
刘美华
林信南
刘岩军
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市南山区前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2940
H01L29423
H01L2947
H01L21335
H01L29778
代理机构
:
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人
:
夏声平
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-11-07
公开
公开
2021-05-28
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20171107
2017-12-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170623
共 50 条
[1]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
;
林信南
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林信南
;
刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN107316890A
,2017-11-03
[2]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
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林信南
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林信南
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刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN107316895A
,2017-11-03
[3]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
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林信南
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林信南
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刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN107275386A
,2017-10-20
[4]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
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林信南
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林信南
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刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN107316891A
,2017-11-03
[5]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
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刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN107275384A
,2017-10-20
[6]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
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林信南
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林信南
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刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN107331697A
,2017-11-07
[7]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
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林信南
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刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN107248524B
,2017-10-13
[8]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
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林信南
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林信南
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刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN107437560B
,2017-12-05
[9]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
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林信南
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林信南
;
刘岩军
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刘岩军
.
中国专利
:CN107393962A
,2017-11-24
[10]
氮化镓半导体器件及其制备方法
[P].
刘美华
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刘美华
;
林信南
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刘岩军
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刘岩军
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中国专利
:CN107248526A
,2017-10-13
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