氮化镓半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710487779.8

申请日：

2017-06-23

公开(公告)号：

CN107248524B

公开(公告)日：

2017-10-13

发明(设计)人：

刘美华林信南刘岩军

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻深圳市前海商务秘书有限公司）

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2940 H01L29423 H01L2947 H01L21335 H01L29778

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

王华英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170623
2020-08-21	授权	授权
2017-10-13	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107316890A ,2017-11-03

[2]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107316895A ,2017-11-03

[3]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107275386A ,2017-10-20

[4]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107316891A ,2017-11-03

[5]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107275384A ,2017-10-20

[6]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107331696A ,2017-11-07

[7]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107331697A ,2017-11-07

[8]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107437560B ,2017-12-05

[9]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107393962A ,2017-11-24

[10]

氮化镓半导体器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN107248526A ,2017-10-13

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