氮化镓基化合物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680032456.X

申请日：

2006-09-05

公开(公告)号：

CN100568562C

公开(公告)日：

2008-09-03

发明(设计)人：

篠原裕直三木久幸村木典孝

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-03	公开	公开
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-09	授权	授权
2013-02-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101523801259 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL200680032456X 变更事项:专利权人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130125

共 50 条

[1]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101699637A ,2010-04-28

[2]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101238594B ,2008-08-06

[3]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

三木久幸 ;

篠原裕直 ;

龟井宏二 .

中国专利 :CN101213678A ,2008-07-02

[4]

氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

村木典孝 ;

篠原裕直 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101258614A ,2008-09-03

[5]

基于氮化镓的化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN100438101C ,2007-02-21

[6]

氮化镓基化合物半导体发光器件、灯、电子装置以及机器 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101310392B ,2008-11-19

[7]

氮化镓系化合物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1482690A ,2004-03-17

[8]

氮化镓基Ⅲ－V族化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

郭准燮 ;

成泰连 ;

宋俊午 ;

林东皙 .

中国专利 :CN1674310A ,2005-09-28

[9]

氮化镓基化合物半导体器件 [P].

李成男 ;

白好善 ;

孙重坤 ;

司空坦 .

中国专利 :CN1855562A ,2006-11-01

[10]

制造氮化镓基半导体发光器件的方法 [P].

吕寅准 ;

金玄永 ;

宋尚烨 .

中国专利 :CN103426984A ,2013-12-04

← 1 2 3 4 5 →