基于氮化镓的化合物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580004938.X

申请日：

2005-02-22

公开(公告)号：

CN100438101C

公开(公告)日：

2007-02-21

发明(设计)人：

龟井宏二

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-26	授权	授权
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-02-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101522607783 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL200580004938X 变更事项:专利权人变更前权利人:昭和电工株式会社变更后权利人:丰田合成株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本爱知县登记生效日:20130123
2007-02-21	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101238594B ,2008-08-06

[2]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

篠原裕直 ;

三木久幸 ;

村木典孝 .

中国专利 :CN100568562C ,2008-09-03

[3]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

三木久幸 ;

篠原裕直 ;

龟井宏二 .

中国专利 :CN101213678A ,2008-07-02

[4]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101699637A ,2010-04-28

[5]

氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

村木典孝 ;

篠原裕直 ;

大泽弘 .

中国专利 :CN101258614A ,2008-09-03

[6]

氮化镓系化合物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1482690A ,2004-03-17

[7]

氮化镓基化合物半导体发光器件、灯、电子装置以及机器 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101310392B ,2008-11-19

[8]

Ⅲ族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体、基于氮化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源 [P].

浦岛泰人 ;

奥山峰夫 ;

桜井哲朗 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN100341115C ,2005-05-18

[9]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1253948C ,2004-03-24

[10]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1897317A ,2007-01-17

← 1 2 3 4 5 →