氮化镓基化合物半导体器件

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专利类型
发明
申请号
CN200510124621.1
申请日
2005-11-14
公开(公告)号
CN1855562A
公开(公告)日
2006-11-01
发明(设计)人
李成男 白好善 孙重坤 司空坦
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3100 H01S500
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
陶凤波;侯宇
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化镓基化合物半导体发光器件 [P]. 
三木久幸 ;
篠原裕直 ;
龟井宏二 .
中国专利 :CN101213678A ,2008-07-02
[2]
氮化镓基化合物半导体发光器件 [P]. 
龟井宏二 .
中国专利 :CN101238594B ,2008-08-06
[3]
氮化镓基化合物半导体发光器件 [P]. 
篠原裕直 ;
三木久幸 ;
村木典孝 .
中国专利 :CN100568562C ,2008-09-03
[4]
氮化镓基化合物半导体发光器件 [P]. 
龟井宏二 .
中国专利 :CN101699637A ,2010-04-28
[5]
氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法 [P]. 
上村俊也 ;
柴田直树 ;
野杁静代 ;
伊藤润 ;
村上正纪 ;
小出康夫 .
中国专利 :CN1553478A ,2004-12-08
[6]
氮化镓基半导体器件 [P]. 
小早川真人 ;
友泽秀喜 ;
三木久幸 .
中国专利 :CN100470857C ,2007-04-04
[7]
氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件 [P]. 
中村修二 ;
山田孝夫 ;
妹尾雅之 ;
山田元量 ;
板东完治 .
中国专利 :CN1253948C ,2004-03-24
[8]
氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件 [P]. 
中村修二 ;
山田孝夫 ;
妹尾雅之 ;
山田元量 ;
板东完治 .
中国专利 :CN1897317A ,2007-01-17
[9]
氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件 [P]. 
中村修二 ;
山田孝夫 ;
妹尾雅之 ;
山田元量 ;
板东完治 .
中国专利 :CN1808731A ,2006-07-26
[10]
氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件 [P]. 
中村修二 ;
山田孝夫 ;
妹尾雅之 ;
山田元量 ;
板东完治 .
中国专利 :CN1484326A ,2004-03-24