氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510128772.4

申请日：

1994-04-28

公开(公告)号：

CN1808731A

公开(公告)日：

2006-07-26

发明(设计)人：

中村修二山田孝夫妹尾雅之山田元量板东完治

申请人：

申请人地址：

日本德岛

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S500

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-26	公开	公开
2006-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-07-02	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101583282899 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005101287724 申请日:19940428 授权公告日:20090603 期满终止日期:20140428
2009-06-03	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1253948C ,2004-03-24

[2]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1897317A ,2007-01-17

[3]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1484326A ,2004-03-24

[4]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1262021C ,1999-04-14

[5]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1845346A ,2006-10-11

[6]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1484327A ,2004-03-24

[7]

氮化镓系化合物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1482690A ,2004-03-17

[8]

氮化镓系化合物半导体发光元件 [P].

村木典孝 ;

篠原裕直 .

中国专利 :CN101331617A ,2008-12-24

[9]

基于氮化镓的化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN100438101C ,2007-02-21

[10]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

三木久幸 ;

篠原裕直 ;

龟井宏二 .

中国专利 :CN101213678A ,2008-07-02

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