氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510128773.9

申请日：

1994-04-28

公开(公告)号：

CN1845346A

公开(公告)日：

2006-10-11

发明(设计)人：

中村修二山田孝夫妹尾雅之山田元量板东完治

申请人：

申请人地址：

日本德岛

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2128 H01S500

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-07-02	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件序号:101583283661 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005101287739 申请日:19940428 授权公告日:20081224 期满终止日期:20140428 号牌文件类型代码:1611
2008-12-24	授权	授权
2006-10-11	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1253948C ,2004-03-24

[2]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1897317A ,2007-01-17

[3]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1808731A ,2006-07-26

[4]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1484326A ,2004-03-24

[5]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1262021C ,1999-04-14

[6]

氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1484327A ,2004-03-24

[7]

氮化镓系化合物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1482690A ,2004-03-17

[8]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括Ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

奥野浩司 ;

新田州吾 ;

斋藤义树 ;

牛田泰久 ;

中田尚幸 ;

坊山晋也 .

中国专利 :CN101883881A ,2010-11-10

[9]

氮化镓系化合物半导体的制造方法 [P].

陈敏璋 ;

林瑞明 ;

余晟辅 ;

徐文庆 ;

何思桦 .

中国专利 :CN102054907B ,2011-05-11

[10]

用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

山下弘 ;

永井诚二 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1213462C ,2003-07-09

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