用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01809470.8

申请日：

2001-03-12

公开(公告)号：

CN1213462C

公开(公告)日：

2003-07-09

发明(设计)人：

小池正好手钱雄太山下弘永井诚二平松敏夫

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2120 C30B2938 H01L3300

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-05-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101073895156 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL018094708 申请日:20010312 授权公告日:20050803 终止日期:20100312
2005-08-03	授权	授权
2003-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括Ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

奥野浩司 ;

新田州吾 ;

斋藤义树 ;

牛田泰久 ;

中田尚幸 ;

坊山晋也 .

中国专利 :CN101883881A ,2010-11-10

[2]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 ;

永井诚二 .

中国专利 :CN100421213C ,2005-06-29

[3]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法 [P].

手钱雄太 .

中国专利 :CN100461340C ,2005-06-08

[4]

氮化物系化合物半导体以及氮化物系化合物半导体元件 [P].

岩见正之 .

中国专利 :CN102386216A ,2012-03-21

[5]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法 [P].

手钱雄太 .

中国专利 :CN1429402A ,2003-07-09

[6]

制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

小池正好 ;

小岛彰 ;

平松敏夫 ;

手钱雄太 .

中国专利 :CN1189920C ,2003-04-23

[7]

制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1413357A ,2003-04-23

[8]

氮化物系化合物半导体元件 [P].

岩见正之 ;

古川拓也 .

中国专利 :CN103531625A ,2014-01-22

[9]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件 [P].

斋藤义树 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355131A ,2009-01-28

[10]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件 [P].

泷哲也 .

中国专利 :CN100386895C ,2006-03-15

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