Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410102100.1

申请日：

2001-02-23

公开(公告)号：

CN100461340C

公开(公告)日：

2005-06-08

发明(设计)人：

手钱雄太

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2100 C30B2938 C30B3300 H01S5323 H01S5343

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-11	授权	授权
2005-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-03-12	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20010223 授权公告日:20090211
2005-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括Ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

奥野浩司 ;

新田州吾 ;

斋藤义树 ;

牛田泰久 ;

中田尚幸 ;

坊山晋也 .

中国专利 :CN101883881A ,2010-11-10

[2]

用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

山下弘 ;

永井诚二 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1213462C ,2003-07-09

[3]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 ;

永井诚二 .

中国专利 :CN100421213C ,2005-06-29

[4]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法 [P].

手钱雄太 .

中国专利 :CN1429402A ,2003-07-09

[5]

制造Ⅲ族氮化物基化合物半导体晶体的方法 [P].

山崎史郎 ;

岩井真 ;

下平孝直 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 .

中国专利 :CN101558187A ,2009-10-14

[6]

制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片和器件 [P].

永井诚二 ;

山崎史郎 ;

佐藤峻之 ;

药师康英 ;

奥野浩司 ;

五所野尾浩一 .

中国专利 :CN101499415B ,2009-08-05

[7]

氮化物系化合物半导体以及氮化物系化合物半导体元件 [P].

岩见正之 .

中国专利 :CN102386216A ,2012-03-21

[8]

第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法 [P].

上村俊也 ;

长坂尚久 .

中国专利 :CN1452791A ,2003-10-29

[9]

制造第Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法 [P].

青木真登 ;

守山实希 .

中国专利 :CN101419912B ,2009-04-29

[10]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件 [P].

斋藤义树 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355131A ,2009-01-28

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