制造Ⅲ族氮化物基化合物半导体晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780046465.9

申请日：

2007-12-10

公开(公告)号：

CN101558187A

公开(公告)日：

2009-10-14

发明(设计)人：

山崎史郎岩井真下平孝直佐佐木孝友森勇介川村史朗

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

H01L21208 C30B910

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

蔡胜有;吴亦华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	公开	公开
2009-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括Ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

奥野浩司 ;

新田州吾 ;

斋藤义树 ;

牛田泰久 ;

中田尚幸 ;

坊山晋也 .

中国专利 :CN101883881A ,2010-11-10

[2]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法 [P].

手钱雄太 .

中国专利 :CN100461340C ,2005-06-08

[3]

制造第Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法 [P].

青木真登 ;

守山实希 .

中国专利 :CN101419912B ,2009-04-29

[4]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件 [P].

斋藤义树 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355131A ,2009-01-28

[5]

制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片和器件 [P].

永井诚二 ;

山崎史郎 ;

佐藤峻之 ;

药师康英 ;

奥野浩司 ;

五所野尾浩一 .

中国专利 :CN101499415B ,2009-08-05

[6]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 ;

永井诚二 .

中国专利 :CN100421213C ,2005-06-29

[7]

用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

山下弘 ;

永井诚二 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1213462C ,2003-07-09

[8]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

五所野尾浩一 ;

守山实希 .

中国专利 :CN101393958A ,2009-03-25

[9]

用于制造第Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法和设备 [P].

山崎史郎 ;

岩井真 ;

下平孝直 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 .

中国专利 :CN101415867B ,2009-04-22

[10]

N型Ⅲ族氮化物基化合物半导体及其制造方法 [P].

永井诚二 ;

山崎史郎 ;

药师康英 ;

佐藤峻之 ;

岩井真 ;

今井克宏 ;

森勇介 ;

北冈康夫 .

中国专利 :CN101586253A ,2009-11-25

← 1 2 3 4 5 →