第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810134757.4

申请日：

2008-07-25

公开(公告)号：

CN101355131A

公开(公告)日：

2009-01-28

发明(设计)人：

斋藤义树牛田泰久

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

蔡胜有;王春伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-28	公开	公开
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-04-18	授权	授权

共 50 条

[1]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

五所野尾浩一 ;

守山实希 .

中国专利 :CN101393958A ,2009-03-25

[2]

基于第Ⅲ族氮化物的化合物半导体发光器件 [P].

守山实希 ;

五所野尾浩一 ;

一杉太郎 ;

长谷川哲也 .

中国专利 :CN101339969A ,2009-01-07

[3]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

矢岛孝义 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355129A ,2009-01-28

[4]

第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件 [P].

浅见慎也 ;

渡边大志 ;

伊藤润 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1315199C ,2004-09-08

[5]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

矢羽田孝辅 ;

中条直树 ;

五所野尾浩一 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102738338B ,2012-10-17

[6]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[7]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 ;

中條直树 .

中国专利 :CN102694112B ,2012-09-26

[8]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102077370A ,2011-05-25

[9]

Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法、包括Ⅲ族氮化物系化合物半导体的晶片以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件 [P].

奥野浩司 ;

新田州吾 ;

斋藤义树 ;

牛田泰久 ;

中田尚幸 ;

坊山晋也 .

中国专利 :CN101883881A ,2010-11-10

[10]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

丰田优介 ;

奥野浩司 ;

西岛和树 .

中国专利 :CN102738329A ,2012-10-17

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