Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810132092.3

申请日：

2008-07-24

公开(公告)号：

CN101355129A

公开(公告)日：

2009-01-28

发明(设计)人：

斋藤义树矢岛孝义牛田泰久

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

蔡胜有;刘继富

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-28	公开	公开
2011-02-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101064475721 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008101320923 公开日:20090128
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

五所野尾浩一 ;

守山实希 .

中国专利 :CN101393958A ,2009-03-25

[2]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件 [P].

斋藤义树 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355131A ,2009-01-28

[3]

基于第Ⅲ族氮化物的化合物半导体发光器件 [P].

守山实希 ;

五所野尾浩一 ;

一杉太郎 ;

长谷川哲也 .

中国专利 :CN101339969A ,2009-01-07

[4]

氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

幡俊雄 .

中国专利 :CN1744337A ,2006-03-08

[5]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102077370A ,2011-05-25

[6]

第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件 [P].

浅见慎也 ;

渡边大志 ;

伊藤润 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1315199C ,2004-09-08

[7]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

李泰熙 ;

南起炼 .

中国专利 :CN101933167A ,2010-12-29

[8]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

朴仲绪 .

中国专利 :CN101359712B ,2009-02-04

[9]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

朴恩铉 ;

全水根 ;

林在球 .

中国专利 :CN101404315A ,2009-04-08

[10]

Ⅲ族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

郑贤敏 ;

李泰熙 ;

崔炳均 ;

金贤锡 ;

南起炼 .

中国专利 :CN101390225A ,2009-03-18

← 1 2 3 4 5 →