氮化物基化合物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510099610.2

申请日：

2005-08-30

公开(公告)号：

CN1744337A

公开(公告)日：

2006-03-08

发明(设计)人：

幡俊雄

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2102 H01S500

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-14	授权	授权
2006-03-08	公开	公开
2006-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法 [P].

幡俊雄 .

中国专利 :CN1787247A ,2006-06-14

[2]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

矢岛孝义 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355129A ,2009-01-28

[3]

氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

幡俊雄 .

中国专利 :CN100364119C ,2005-02-09

[4]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

五所野尾浩一 ;

守山实希 .

中国专利 :CN101393958A ,2009-03-25

[5]

氮化物基化合物半导体发光器件及其制作方法 [P].

地主修 .

中国专利 :CN101355133A ,2009-01-28

[6]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件 [P].

斋藤义树 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355131A ,2009-01-28

[7]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102077370A ,2011-05-25

[8]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

三木久幸 ;

篠原裕直 ;

龟井宏二 .

中国专利 :CN101213678A ,2008-07-02

[9]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101238594B ,2008-08-06

[10]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

篠原裕直 ;

三木久幸 ;

村木典孝 .

中国专利 :CN100568562C ,2008-09-03

← 1 2 3 4 5 →