氮化物基化合物半导体发光器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810144242.2

申请日：

2008-07-28

公开(公告)号：

CN101355133A

公开(公告)日：

2009-01-28

发明(设计)人：

地主修

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

吕晓章

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-28	公开	公开
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20080728 授权公告日:20120905 终止日期:20200728
2012-09-05	授权	授权
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

幡俊雄 .

中国专利 :CN1744337A ,2006-03-08

[2]

氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

幡俊雄 .

中国专利 :CN100364119C ,2005-02-09

[3]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

矢岛孝义 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355129A ,2009-01-28

[4]

氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法 [P].

幡俊雄 .

中国专利 :CN1787247A ,2006-06-14

[5]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102077370A ,2011-05-25

[6]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

五所野尾浩一 ;

守山实希 .

中国专利 :CN101393958A ,2009-03-25

[7]

氮化物半导体发光器件及其制作方法 [P].

川岛毅士 .

中国专利 :CN107464863B ,2017-12-12

[8]

氮化物半导体发光器件及其制作方法 [P].

川岛毅士 .

中国专利 :CN103715314A ,2014-04-09

[9]

氮化物半导体发光器件及其制作方法 [P].

孙钱 ;

冯美鑫 ;

周宇 ;

高宏伟 ;

杨辉 .

中国专利 :CN108305918B ,2018-07-20

[10]

第Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件 [P].

斋藤义树 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355131A ,2009-01-28

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