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氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200410054958.5
申请日：
2004-07-26
公开(公告)号：
CN100364119C
公开(公告)日：
2005-02-09
发明(设计)人：
幡俊雄
申请人：
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H01L3300
IPC分类号：
H01S500
代理机构：
北京市柳沈律师事务所
代理人：
陶凤波;侯宇
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2005-02-09 公开 公开
2008-01-23 授权 授权
2005-04-13 实质审查的生效 实质审查的生效
共 50 条
[1]
氮化物基化合物半导体发光器件 [P]. 
幡俊雄 .
中国专利 :CN1744337A ,2006-03-08
[2]
氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法 [P]. 
幡俊雄 .
中国专利 :CN1787247A ,2006-06-14
[3]
Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
奥野浩司 .
中国专利 :CN102077370A ,2011-05-25
[4]
氮化物基化合物半导体发光器件及其制作方法 [P]. 
地主修 .
中国专利 :CN101355133A ,2009-01-28
[5]
Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P]. 
斋藤义树 ;
矢岛孝义 ;
牛田泰久 .
中国专利 :CN101355129A ,2009-01-28
[6]
第Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P]. 
五所野尾浩一 ;
守山实希 .
中国专利 :CN101393958A ,2009-03-25
[7]
氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
村木典孝 ;
篠原裕直 ;
大泽弘 .
中国专利 :CN101258614A ,2008-09-03
[8]
氮化物基半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
李庭旭 ;
田宪秀 ;
尹皙胡 ;
金柱成 .
中国专利 :CN101017869B ,2007-08-15
[9]
氮化物基半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
尹皙胡 ;
孙哲守 ;
李庭旭 ;
金柱成 .
中国专利 :CN101026212B ,2007-08-29
[10]
氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
长谷川義晃 ;
菅原岳 ;
横川俊哉 .
中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28
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