氮化物基半导体发光器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610128599.2
申请日
2006-09-05
公开(公告)号
CN101017869B
公开(公告)日
2007-08-15
发明(设计)人
李庭旭 田宪秀 尹皙胡 金柱成
申请人
申请人地址
韩国京畿道水原市
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
张波
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化物基半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
尹皙胡 ;
孙哲守 ;
李庭旭 ;
金柱成 .
中国专利 :CN101026212B ,2007-08-29
[2]
氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
崔然祚 .
中国专利 :CN101999178A ,2011-03-30
[3]
氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
崔炳均 ;
李在拫 .
中国专利 :CN102194935A ,2011-09-21
[4]
氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
李昔宪 .
中国专利 :CN101069290A ,2007-11-07
[5]
氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
长谷川義晃 ;
菅原岳 ;
横川俊哉 .
中国专利 :CN101356701A ,2009-01-28
[6]
氮化物基的半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
笔田麻佑子 ;
幡俊雄 .
中国专利 :CN1220286C ,2004-02-18
[7]
氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法 [P]. 
秋田胜史 ;
京野孝史 ;
石桥惠二 ;
笠井仁 .
中国专利 :CN101542760A ,2009-09-23
[8]
氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
神川刚 .
中国专利 :CN101340057A ,2009-01-07
[9]
氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
松山隆之 ;
小野村正明 .
中国专利 :CN100463311C ,2007-04-18
[10]
氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
山本秀一郎 ;
小河淳 ;
石田真也 ;
神川刚 .
中国专利 :CN1816952A ,2006-08-09